【48812】宏微科技：碳化硅范畴研制获得发展首款1200V SiC MOSFET芯片研制成功SiC混合封装光伏用模块打破100万只

  宏微科技：碳化硅范畴研制获得发展，首款1200V SiC MOSFET芯片研制成功，SiC混合封装光伏用模块打破100万只

  金融界6月17日音讯，有投入资金的人在互动渠道向宏微科技发问：商场以为大基金三期将首要投向第三代半导体资料、设备和封测等国产代替化空间较大的范畴。公司现在碳化硅范畴研制发展怎么？费事介绍一下。

  公司答复表明：公司提早布局了SiC芯片和封装事务，相关的SiC模块已批量应用于新能源等职业，在第三代功率半导体器材范畴的研制和量产具有先发优势。公司碳化硅范畴的研制发展如下：1、芯片产品：公司首款1200V SiC MOSFET芯片研制成功；自主研制的SiC SBD（肖特基势垒二极管）芯片现已经过可靠性验证，并已经过计算机显示终端验证。2、模块产品：新能源轿车碳化硅模块1款产品在整机客户端认证中，1款产品工艺调试中；不间断电源（UPS）体系定制的三电平SiC混合模块已完结开发，渐渐的开端批量供货；SiC混合封装光伏用模块已打破100万只。