硅雪崩光电二极管指的是在激光通信中使用的光敏元件。在以硅为材料制造成的光电二极管的P-N结上加上反向偏压后，射入的光被P-N结吸收后会形成光电流。Si-APD的响应波长覆盖260-1100nm。APD具有内增益机制，相比普通PIN管，能够在反向偏压下提供数十至数百倍的信号，在保持低暗电流的同时拥有更快的响应速度和更高的信噪比。
十三五期间（2017至2021），2017年全球硅雪崩光电二极管(Si-APDs)市场规模为66.40百万美元，近两年由于疫情的影响，根据QYR最新调研显示，2021年全球硅雪崩光电二极管(Si-APDs)市场规模为77.66百万美元，2017-2021这五年期间年复合增长率CAGR为3.99%。
十四五期间（2021至2025），预计2025年全球规模将达到94.17百万美元，2021至2025期间年复合增长率为4.94%。
雪崩光电二极管是一种半导体光探测器（光电二极管），工作在较高反向电压下（通常在几十甚至上百伏特），有时仅比阈值稍低。在这一范围内，吸收光子激发的载流子（电子和空穴）在很强的内部电场作用下加速，然后产生二次载流子，这在光电倍增管中经常发生。雪崩过程只发生在几微米的距离上，光电流就能被放大很多倍。因此，雪崩光电二极管可以用作非常灵敏的探测器，只需要较少的电子信号放大，因此电子噪声也比较小。但是，雪崩过程本身就存在量子噪声和放大器噪声，因此会抵消之前提到的优势。附加噪声可以由附加噪声系数F来定量描述，它是表征与理想光探测器相比电子噪声功率提高的因子。
硅基雪崩二极管在450-1000 nm（有时能够达到1100 nm）波长区域比较敏感，最高响应度在600-800 nm范围内，即该波长区域波长略小于Si p-i-n二极管。根据器件设计和施加的反向电压不同，Si APD的倍增因数（也称为增益）在50到1000之间变化。
Si-APD器件的量产长期掌握在国外巨头的手中，如美国的First Sensor、日本滨松等。我国对于Si-APD器件国产化的量产制备研究起步较晚。目前国内Si-APD器件现如今仍全面落后于国外巨头，主要落后的方面在于应用较少导致产品系列化的不全面。
随着智能化驾驶、智能化家居、高灵敏度检测等应用的加快速度进行发展，对微弱光和单光子的探测需要将会有爆发式的增长。Si-APD器件技术的发展趋势主要有两个，一种原因是器件的微型化和集成化。另一个方面是Si-APD器件性能的逐步提升，如紫外波段和红外、近红外波段探测响应度的提升。随着Si-APD技术的持续不断的发展及Si-APD量产技术的成熟，慢慢的变多的领域能够正常的使用到价格低、性能优越的Si-APD器件。
2021年中国占全球市场占有率为5.06%，日本为35.26%，预计未来六年中国市场复合增长率为9.75%，并在2028年规模达到7.34百万美元，同期日本市场CAGR预计大约为6.58%。未来几年，亚太地区的重要市场地位将更加凸显，除中国外，日本、韩国、印度和东南亚地区，也将扮演重要角色。此外，未来六年，预计欧洲将继续维持其在领头羊，2022-2028年CAGR将大约为6.13%。
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